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CMST5089LEADFREE PDF预览

CMST5089LEADFREE

更新时间： 2024-11-23 20:08:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 402K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, SUPERMINI-3

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CMST5089LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.24其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

CMST5089LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMST5089LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMST5088  
CMST5089  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST5088,  
CMST5089 types are NPN silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a SUPERmini™ surface mount package,  
designed for applications requiring high gain and low  
noise.  
MARKING CODES: CMST5088: 1QC  
CMST5089: 1RC  
SOT-323 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
CMST5088  
CMST5089  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
35  
30  
30  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
4.5  
50  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
mA  
mW  
°C  
C
P
275  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
455  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMST5088  
CMST5089  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
-
MAX  
MIN  
-
MAX  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=20V  
=15V  
=3.0V  
=4.5V  
50  
-
CBO  
CBO  
EBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
EB  
-
-
-
50  
-
50  
-
-
-
-
-
100  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
35  
30  
4.5  
-
-
-
30  
25  
4.5  
-
-
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
-
-
V
C
I =100μA  
-
V
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.5  
0.8  
900  
-
0.5  
0.8  
1200  
-
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =0.1mA  
300  
350  
300  
50  
-
400  
450  
400  
50  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
C
FE  
=5.0V, I =10mA  
-
-
FE  
C
f
=5.0V, I =500μA, f=20MHz  
-
-
MHz  
pF  
T
C
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
15  
1400  
4.0  
15  
1800  
ob  
ib  
E
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
-
-
pF  
C
h
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
350  
450  
fe  
C
NF  
=5.0V, I =100μA, R =10kΩ  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
-
3.0  
-
2.0  
dB  
R4 (9-February 2010)  
12

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