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CMM1433-KU PDF预览

CMM1433-KU

更新时间： 2024-12-01 21:21:59
品牌 Logo 应用领域
MIMIX 局域网高功率电源射频微波
页数 文件大小 规格书
2页 421K
描述
Narrow Band High Power Amplifier, 13750MHz Min, 14500MHz Max, FLANGE PACKAGE-10

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CMM1433-KU 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.17特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：33 dB
最大输入功率 (CW)：7 dBm最大工作频率：14500 MHz
最小工作频率：13750 MHz最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-40 °C射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER
Base Number Matches：1

CMM1433-KU 数据手册

 浏览型号CMM1433-KU的Datasheet PDF文件第2页 
CMM1433-KU  
Preliminary Product Information  
13.75 to 14.5 GHz  
2 Watt Power Amplifier  
December 2002  
(1 of 2)  
Features  
Pin Functional Diagram  
❏ 34 dBm (Typ.) Saturated Output Power  
❏ 36 dB (Typ.) Linear Gain  
❏ Fully Matched  
❏ Unconditionally Stable  
Vdd 1  
10 Vdd  
GROUND 2  
9 GROUND  
❏ Copper/Molybdenum Flange Package  
for Optimum Thermal Dissipation  
RF IN 3  
8 RF OUT  
7 GROUND  
6 Vgg  
GROUND 4  
Vgg 5  
Applications  
❏ Ku-Band VSAT Transmit Subsystems  
Description  
The unconditional stability and internal matching  
provides for reduction of external components making this  
product a simple and low-cost solution. The package is  
designed with a base material of gold-plated copper/molybde-  
num composite that offers excellent thermal properties and  
minimum mechanical stress.  
The CMM1433-KU is a four-stage pHEMT GaAs  
MMIC power amplifier that is ideally suited for transmit sub-  
systems designed for Ku-Band VSAT applications. The  
CMM1433-KU provides 36 dB linear gain and delivers more  
than 2 watts of output power at saturation operating from  
13.75 to 14.5 GHz frequency.  
Electrical Characteristics (T = +25°C, Vd = 7V, Idq = 950 mA)  
Parameter  
Condition  
Min  
13.75  
33.0  
Typ  
34.0  
36.0  
Max  
14.5  
35.0  
1.0  
39.0  
2.0  
Units  
GHz  
dBm  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
Volts  
A
%
Frequency Range  
Saturated Output Power  
Pin = 3.0 dBm  
Saturated Output Power Variation Over operating frequency  
Linear Gain  
33.0  
Linear Gain Variation  
Input Reflection Coefficient  
Output Reflection Coefficient  
Gate Supply Voltage  
Drain Current  
Over operating frequency  
-10.0  
-6.0  
Idq = 950 mA  
At Saturation  
-0.7  
1.50  
-0.2  
1.90  
1.70  
21  
9.1  
Power Added Efficiency  
Thermal Resistance  
Channel to backside  
°C/W  
Electrical Characteristics (T = -40°C to +70°C, Vd = 7V, Idq = 950 mA)  
Parameter  
Condition  
Min  
-1.0  
-2.0  
Typ  
Max  
1.0  
2.0  
Units  
dBm  
dB  
Saturated Power Output  
Linear Gain Variation  
Stability  
Variation from room temperature value  
Variation from room temperature value  
Unconditionally Stable  
—
Maximum Ratings (TA = -40°C to +70°C) Operation outside any one of these limits can cause permanent damage.  
Parameter  
Rating  
Units  
Parameter  
Rating  
Units  
Drain Voltage (+V  
)
7.5  
Volts  
Volts  
mA  
RF Input Power (P )  
7.0  
dBm  
dd  
)
in  
Gate Voltage (V  
-2.5  
1080  
14  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
Dissipated Power (P  
-50 to +150 °C  
175  
11.5  
gg  
)
Bias Current (I  
°C  
Watts  
dq  
Gate Current (I )  
mA  
)
dis  
g
3236 Scott Boulevard  
Santa Clara, California 95054  
Phone: (408) 986-5060  
Fax: (408) 986-5095  
12

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