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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMLT3410
CMLT3410 PDF预览

CMLT3410

更新时间： 2024-01-21 10:33:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
SURFACE MOUNT PICOmini DUAL LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS

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CMLT3410 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
最小直流电流增益 (hFE)：100最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CMLT3410 数据手册

 浏览型号CMLT3410的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT3410 NPN  
CMLT7410 PNP  
CMLT3474 NPN/PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT PICOmini™  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT3410  
(Dual NPN), CMLT7410 (Dual PNP), and CMLT3474  
DUAL LOW V  
CE(SAT)  
SILICON TRANSISTORS  
(Complementary NPN & PNP), are low V  
CE(SAT)  
silicon transistors in a PICOmini™ surface mount  
package designed for small signal general purpose  
amplifier and switching applications requiring low  
collector emitter saturation voltage.  
MARKING CODES:  
CMLT3410  
CMLT7410  
CMLT3474  
NPN:  
PNP:  
NPN/PNP: C37  
C34  
C74  
SOT-563 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25oC)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
40  
25  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
6.0  
1.0  
1.5  
350  
V
I
A
C
Collector Current (Peak)  
Power Dissipation  
I
A
CM  
P
D
mW  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
J
-65 to +150  
357  
oC  
oC/W  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25oC unless otherwise noted)  
A
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
NPN  
PNP  
MAX  
100  
UNITS  
nA  
nA  
V
I
V
V
=40V  
CBO  
CB  
EB  
I
=6.0V  
100  
EBO  
BV  
I =100µA  
40  
25  
CBO  
C
BV  
I =10mA  
C
V
CEO  
BV  
I =100µA  
6.0  
V
EBO  
E
V
I =50mA, I =5.0mA  
20  
35  
25  
40  
50  
75  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =100mA, I =10mA  
CE(SAT)  
C B  
V
I =200mA, I =20mA  
75  
80  
150  
250  
400  
450  
1.1  
0.9  
CE(SAT)  
C
B
V
I =500mA, I =50mA  
130  
200  
250  
150  
220  
275  
CE(SAT)  
C
B
V
I =800mA, I =80mA  
CE(SAT)  
C B  
V
I =1.0A, I =100mA  
C B  
I =800mA, I =80mA  
CE(SAT)  
V
BE(SAT)  
C
B
V
V
=1.0V, I =10mA  
V
BE(ON)  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
h
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =10mA  
C
100  
100  
100  
50  
FE  
h
=1.0V, I =100mA  
300  
FE  
C
h
=1.0V, I =500mA  
C
FE  
h
=1.0V, I =1.0A  
FE  
C
f
=10V, I =50mA, f=100MHz  
C
100  
MHz  
pF  
T
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMLT3410)  
10  
15  
ob  
E
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMLT7410)  
E
pF  
ob  
R0 (28-March 2005)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT3410#N/A CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMLT3410_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
CMLT3410_11 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
CMLT3410BK CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
CMLT3410BKLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMLT3410BKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMLT3410G CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PICOMINI-
CMLT3410LEADFREE CENTRAL

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CMLT3410PBFREE CENTRAL

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CMLT3410TIN/LEAD CENTRAL

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