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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMLT3410LEADFREE
CMLT3410LEADFREE PDF预览

CMLT3410LEADFREE

更新时间： 2024-09-30 13:06:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 508K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PICOMINI-6

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CMLT3410LEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.34Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMLT3410LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMLT3410LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMLT3410 NPN  
CMLT7410 PNP  
CMLT3474 NPN/PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
DESCRIPTION:  
These CENTRAL SEMICONDUCTOR dual devices  
are low V silicon transistors in a PICOmini™  
surface mount package designed for small signal  
general purpose amplifier and switching applications  
requiring low collector emitter saturation voltage.  
DUAL LOW V  
CE(SAT)  
SILICON TRANSISTORS  
CE(SAT)  
MARKING CODES: CMLT3410: C34  
CMLT7410: C74  
CMLT3474: C37  
SOT-563 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
V
V
V
40  
25  
6.0  
1.0  
1.5  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
A
CM  
P
350  
-65 to +150  
357  
mW  
°C  
°C/W  
D
T , T  
J
stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
NPN  
PNP  
MAX  
100  
100  
UNITS  
nA  
nA  
V
V
V
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
I
I
V
V
=40V  
=6.0V  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
40  
25  
6.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =10mA  
C
I =100µA  
E
V
V
V
V
V
V
V
V
I =50mA, I =5.0mA  
20  
35  
75  
130  
200  
250  
25  
40  
80  
150  
220  
275  
50  
75  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
B
B
B
I =100mA, I =10mA  
C
I =200mA, I =20mA  
150  
250  
400  
450  
1.1  
0.9  
C
I =500mA, I =50mA  
C
I =800mA, I =80mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
I =800mA, I =80mA  
C
B
C
V
=1.0V, I =10mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
h
h
h
h
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =10mA  
100  
100  
100  
50  
C
=1.0V, I =100mA  
300  
FE  
FE  
FE  
C
=1.0V, I =500mA  
C
=1.0V, I =1.0A  
C
f
=10V, I =50mA, f=100MHz  
100  
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMLT3410)  
10  
15  
ob  
ob  
E
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMLT7410)  
E
R2 (20-January 2010)  
12

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