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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMLT2207GBKLEADFREE
CMLT2207GBKLEADFREE PDF预览

CMLT2207GBKLEADFREE

更新时间： 2024-09-27 12:59:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP

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CMLT2207GBKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.6 A
最小直流电流增益 (hFE)：100最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN/PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

CMLT2207GBKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMLT2207GBKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT2207  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
TM  
PICOmini  
DUAL,COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The Central Semiconductor CMLT2207  
consists of one 2N2222A NPN silicon transistor  
and one individual isolated complementary  
2N2907A PNP silicon transistor, manufactured  
by the epitaxial planar process and epoxy  
molded in an SOT-563 surface mount package.  
This PICOmini™ device has been designed for  
small signal general purpose amplifier and  
switching applications.  
SOT-563 CASE  
MARKING CODE: L70  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
UNITS  
V
V
V
mA  
mW  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
75  
40  
6.0  
60  
60  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
I
P
600  
350  
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
=60V  
=50V  
-
-
10  
-
-
-
10  
-
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
EBO  
CEV  
CEV  
CB  
CB  
CB  
CB  
EB  
CE  
CE  
-
=60V, T =125°C  
-
10  
-
-
A
=50V, T =125°C  
A
-
-
-
10  
-
=3.0V  
-
10  
10  
-
=60V, V  
=30V, V  
I =10µA  
=3.0V  
=500mV  
-
-
-
EB(OFF)  
EB(OFF)  
-
-
50  
-
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
75  
40  
6.0  
-
-
60  
60  
5.0  
-
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
-
-
-
V
C
I =10µA  
-
V
EBO  
E
I =150mA, I =15mA  
0.3  
1.0  
1.2  
2.0  
-
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
-
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
-
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.6  
-
-
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=10V, I =0.1mA  
=10V, I =1.0mA  
35  
50  
75  
75  
100  
100  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
-
-
-
-
FE  
C
=10V, I =10mA  
FE  
C
=10V, I =150mA  
100 300  
100 300  
-
FE  
C
=1.0V, I =150mA  
50  
40  
-
-
-
-
FE  
C
h
V
=10V, I =500mA  
50  
FE  
CE  
C
R1 (13-November 2002)  
12

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与CMLT2207GBKLEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT2207GPBFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMLT2207GTR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
CMLT2207GTRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP
CMLT2207LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
CMLT2207TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
CMLT2222A CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT PICOmini DUAL NPN SMALL SIGNAL SILICON SWITCHING TRANSISTORS
CMLT2222ABK CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMLT2222AG CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL NPN SMALL SIGNAL SILICON SWITCHING TRANSISTORS
CMLT2222AGBK CENTRAL

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 		暂无描述
CMLT2222AGBKLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor

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