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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMKT5089M10TR
CMKT5089M10TR PDF预览

CMKT5089M10TR

更新时间： 2024-09-25 13:06:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 126K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6

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CMKT5089M10TR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

CMKT5089M10TR 数据手册

 浏览型号CMKT5089M10TR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMKT5089M10  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
TM  
ULTRAmini  
DUAL NPN SILICON  
DESCRIPTION:  
MATCHED h  
TRANSISTORS  
FE  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMKT5089M10 consists of two (2) individual,  
isolated 5089 NPN silicon transistors with  
TM  
matched h . This ULTRAmini device is  
FE  
manufactured by the epitaxial planar process and  
epoxy molded in an SOT-363 surface mount  
package. The CMKT5089M10 has been designed  
for applications requiring high gain and low noise.  
MARKING CODE: C9M0  
SOT-363 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
30  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
V
4.5  
50  
V
mA  
mW  
I
C
Power Dissipation  
P
350  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
CBO  
EBO  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
I
I
V
V
=15V  
nA  
nA  
V
CB  
=4.5V  
100  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
30  
25  
4.5  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =100µA  
V
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.5  
0.8  
1200  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =0.1mA  
=5.0V, I =1.0mA  
C
400  
450  
400  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
FE  
=5.0V, I =10mA  
FE  
C
f
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
h
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
10  
1800  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
450  
fe  
C
NF  
=5.0V, I =100µA, R =10kΩ  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
2.0  
dB  
MATCHING CHARACTERISTICS:  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
1.0  
5.0  
UNITS  
h
/h  
*
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
0.9  
FE1 FE2  
CE  
C
|V  
-V  
|
=5.0V, I =100µA  
mV  
BEON1 BEON2  
CE  
C
* The lowest h  
reading is taken as h  
FE1.  
FE  
R2 (7-August 2003)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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