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CMC02(TE12L,Q)

更新时间: 2024-11-02 14:48:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 1243K
描述
DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT

CMC02(TE12L,Q) 技术参数

生命周期:Active包装说明:3-4E1A, M-FLAT-2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压:400 V表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

CMC02(TE12L,Q) 数据手册

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Semiconductor Catalog Apr. 2013  
Small and Medium Diodes  
SEMICONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS  
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng  

与CMC02(TE12L,Q)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMC020C CDE

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CAPACITOR, CERAMIC, 500V, C0G, 0.000002uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIA
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