Datasheet > CM7N60C（R）

CM7N60C（R）

更新时间： 2024-11-22 15:19:35

品牌	Logo	应用领域
晶导 - JINGDAO		/
页数	文件大小	规格书
11页	785K
描述
TO-251S/252S

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CM7N60C（R）数据手册

CM7N60C

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

www.jdsemi.cn

POWER MOSFET

1、主要参数 Main Characteristics

2、用途 Applications

V_DSS

I_D

600



高频开关电源 High frequency switching mode

power supply

P_D

R_DSONTYP

0.93



电子镇流器 Electronic ballast

UPS 电源 Uninterruptible Power Supply

PFC 功率因数校正 Power Factor Correction

大功率开关电源 High power switching power supply

电焊机控制 Control of electric welding machine

3、产品特性 Features



低栅极电荷 Low gate charge

1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)

低 Crss (典型值 12pF) Low Crss (typical 12pF )

开关速度快 Fast switching speed

产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested

高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability

RoHS 产品 RoHS product

4．电特性 Electrical Characteristics

4.1极限值 Absolute Ratings (T_C= 25℃)

参数名称 Parameter

漏极-源极电压

符号 Symbol

额定值 Value

单位 Unit

V_DSS

600

Drain-Source Voltage

T_C= 25 °C

连续漏极电流

I_D

I_DM

Drain Current -continuous

最大脉冲漏极电流（注 1）

Drain Current - pulse（note 1）

栅源电压

T_C= 100 °C

4.5

±30

550

3.3

V_GS

E_AS

Gate-Source Voltage

单脉冲雪崩能量（注 2）

Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）

雪崩电流（注 1）

I_AR

Avalanche Current（note 1）

重复雪崩能量（注 1）

E_AR

V/ns

℃

Repetitive Avalanche Energy （note 1）

二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）

Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）

耗散功率

dv/dt

P_D

5.0

Power Dissipation

结温，贮存温度

T_j，T_stg

150，-55～150

Operating and Storage Temperature Range

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

第 1 页 V04 版

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与CM7N60C（R）相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM7N60F	JINGDAO	获取价格	TO-220F
CM7N60F（R）	JINGDAO	获取价格	TO-220F
CM7N65C	JINGDAO	获取价格	TO-251S/252S
CM7N65C（R）	JINGDAO	获取价格	TO-251S/252S
CM7N65F（R）	JINGDAO	获取价格	TO-220F
CM7N65FD	JINGDAO	获取价格	TO-220F
CM7N65K	JINGDAO	获取价格	TO-262
CM7N65K（R）	JINGDAO	获取价格	TO-262
CM7N70C	JINGDAO	获取价格	TO-251S/252S
CM7N70F	JINGDAO	获取价格	TO-220F