5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.23 | 其他特性： | SUPER FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 450 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1400 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 3900 ns | VCEsat-Max： | 2.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM450HA-5F_00 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM45-28 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
|
| CM4-53 | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
|
| CM4532100KL | ABC |
获取价格 |
WOUND CHIP INDUCTOR |
|
| CM4532101KL | ABC |
获取价格 |
WOUND CHIP INDUCTOR |
|
| CM4532101KLD | ABC |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 100uH, 10%, Ferrite-Core, 1812, |
|
| CM4532101KLF | ABC |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 100uH, 10%, Ferrite-Core, 1812, |
|
| CM4532102KL | ABC |
获取价格 |
WOUND CHIP INDUCTOR |
|
| CM4532102KLB | ABC |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1000uH, 10%, Ferrite-Core, 1812, |
|
| CM4532120KL | ABC |
获取价格 |
WOUND CHIP INDUCTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
