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CM45-28

更新时间： 2024-11-19 21:54:47

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	18K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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CM45-28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	8 A
基于收集器的最大容量：	75 pF	集电极-发射极最大电压：	33 V
配置：	Single	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CXFM-F6	端子数量：	6
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CM45-28 数据手册

CM45-28

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .500”6L FLG

The ASI CM45-28 is Designed for

Class A, B and C Power Amplifier VHF

Applications.

2x ØN

FULL R

FEATURES:

.725/18,42

• P_G= 7.0 dB Typ at 45 W/400 MHz

• ∞ Load VSWR at Rated Conditions

• Omnigold™ Metallization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.150 / 3.43

.160 / 4.06

MAXIMUM RATINGS

.045 / 1.14

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

8.0 A

60 V

I_C

V_CB

P_DISS

T_J

.125 / 3.18

110 W @ T_C= 25 °C

-55 °C to +200 °C

1.6 °C/W

.725 / 18.42

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

T_STG

θ_JC

.120 / 3.05

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 20 mA

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

4.0

_CB= 30 V

_CE= 5.0 V

5.0

---

h_FE

I_C= 1.0 A

120

C_OB

_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 400 MHz

9.0

10.0

P_G

V_CC= 28 V

P_OUT= 45 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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