Datasheet > 晶体管 > IGBT> CM200DU-12F

CM200DU-12F

更新时间： 2024-01-04 16:58:12

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	122K
描述
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CM200DU-12F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	1.69
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	200 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	830 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.7 V

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM200DU-12F

HIGH POWER SWITCHING USE

CM200DU-12F

¡IC ...................................................................200A

¡VCES ............................................................600V

¡Insulated Type

¡2-elements in a pack

APPLICATION

General purpose inverters & Servo controls, etc

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

Tc measured point

0.25

2–φ6.5

MOUNTING HOLES

C2E1

13.5

3–M5NUTS

12mm deep

TAB #110. t=0.5

2.5

RTC

C2E1

RTC

CIRCUIT DIAGRAM

LABEL

Feb. 2009

12 3 4

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CM200DU12H	ETC	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C)	获取价格
CM200DU-12H	POWEREX	Dual IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts	获取价格
CM200DU-12H	MITSUBISHI	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE	获取价格
CM200DU-12H_09	MITSUBISHI	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE	获取价格
CM200DU-12NFH	POWEREX	Dual IGBTMOD NFH-Series Module 200 Amperes/600 Volts	获取价格
CM200DU-12NFH	MITSUBISHI	HIGH POWER SWITCHING USE	获取价格