是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数: | 7 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.18 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 200 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X7 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 7 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1300 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 6.5 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CM200DU-24NFH | POWEREX |
功能相似 |
Dual IGBTMOD NFH-Series Module 200 Amperes/1200 Volts | |
MG200Q2YS65H | TOSHIBA |
功能相似 |
IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CM200DU-24NFH_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM200DU-34KA | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM200DU-34KA | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD KA-Series Module 200 Amperes/1700 Volts | |
CM200DU-34KA_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM200DX-24A | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM200DX-24S | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBT NX-Series Module 200 Amperes/1200 Volts | |
CM200DX-24S | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 S系列 CM200DX-24S | |
CM200DX-34SA | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBT NX-Series Module 200 Amperes/1700 Volts | |
CM200DX-34SA | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 S系列 CM200DX-34SA | |
CM200DY12E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |