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CM100TU-24F

更新时间: 2024-10-29 22:50:31
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三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 83K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

CM100TU-24F 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-17针数:17
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.54
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):100 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X17元件数量:6
端子数量:17最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):500 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.4 VBase Number Matches:1

CM100TU-24F 数据手册

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MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM100TU-24F  
HIGH POWER SWITCHING USE  
CM100TU-24F  
¡IC ...................................................................100A  
¡VCES ......................................................... 1200V  
¡Insulated Type  
¡6-elements in a pack  
APPLICATION  
General purpose inverters & Servo controls, etc  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
107  
4–φ5.5  
MOUNTING HOLES  
±0.25  
90  
23  
(4)  
12  
12  
CM  
P
N
11  
11 14.4  
11  
21.7  
21.7  
G
E
G
E
G
E
GuN  
EuN  
GvN  
EvN  
GwN  
EwN  
GuP  
EuP  
GvP  
EvP  
GwP  
EwP  
G
E
G
E
G
E
U
V
W
12  
12  
12  
+1  
29  
–0.5  
23  
23  
0.8  
5–M5NUTS  
2.8  
11  
21.7 11  
21.7 11  
Tc measured point  
Tc measured point  
4
P
G
UP  
G
V
P
G
WP  
RTC  
RTC  
RTC  
LABEL  
EUP  
E
V
P
E
WP  
W
U
V
GUN  
G
VN  
GWN  
RTC  
RTC  
RTC  
EUN  
E
V
N
EWN  
N
CIRCUIT DIAGRAM  
Aug. 1999  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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