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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CL0-65664V-70:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, |
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| CL0-65664V-70:RD | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, |
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| CL0-65664V-70SHXXX | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, |
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| CL0-65664V-70SHXXX:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, |
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| CL0-65664V-70SHXXX:R | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, |
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| CL0-65664V-70SHXXX:RD | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, |
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| CL0-65664V-85:R | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, |
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| CL0-65664V-85SHXXX | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, |
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| CL0-65664V-85SHXXX:R | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, |
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| CL065-682-GB101W | RCD |
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Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, S |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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