5秒后页面跳转
CL0-65664V-70:RD PDF预览

CL0-65664V-70:RD

更新时间: 2024-09-30 14:41:27
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 569K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS,

CL0-65664V-70:RD 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:X-XUUC-N27
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:27
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIE
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

CL0-65664V-70:RD 数据手册

 浏览型号CL0-65664V-70:RD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CL0-65664V-70:RD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CL0-65664V-70:RD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CL0-65664V-70:RD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CL0-65664V-70:RD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CL0-65664V-70:RD的Datasheet PDF文件第7页 

与CL0-65664V-70:RD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CL0-65664V-70SHXXX TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS,
CL0-65664V-70SHXXX:D TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS,
CL0-65664V-70SHXXX:R TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS,
CL0-65664V-70SHXXX:RD TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS,
CL0-65664V-85:R TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS,
CL0-65664V-85SHXXX TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS,
CL0-65664V-85SHXXX:R TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS,
CL065-682-GB101W RCD

获取价格

Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, S
CL065-750-GB101W RCD

获取价格

Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, S
CL065-751-GB101 RCD

获取价格

Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, S