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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | TO-237 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.83 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-237AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CIL857O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | TO-237VAR |
|
| CIL857Y | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237 |
|
| CIL858 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-237 |
|
| CIL858GR | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237 |
|
| CIL858O | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237 |
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| CIL858Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-237VAR |
|
| CIL859 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-237 |
|
| CIL859GR | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237 |
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| CIL859O | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237 |
|
| CIL859Y | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237 |
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