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CIL916LA

更新时间: 2024-02-12 23:46:13
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 938K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | TO-237

CIL916LA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:TO-237包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:3.5 pF
集电极-发射极最大电压:160 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):90JEDEC-95代码:TO-237AA
JESD-30 代码:O-PBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

CIL916LA 数据手册

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