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CIL9263

更新时间： 2024-02-02 10:14:20

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	44K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-237

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CIL9263 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

CIL9263 数据手册

IS/ISO 9002

IS / IECQC 700000

Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 750100

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

CIL9263

TO237

BCE

High Voltage Transistor

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

250

6.0

100

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Power Dissipation

VCBO

VCEO

VEBO

1.0

Operating & Storage Junction

Temperature Range

TJ, Tstg

-65 to +150

deg C

Lead Temperature for Soldering 1/16" TL

260

deg C

From Body, For 10 Seconds

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

Junction to Ambient

Rth(j-c)

Rth(j-a)

125

deg C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

250

6.0

MAX

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

Collector Emitter Saturation Voltage

Cut off frequency

Fead Back Capacitance

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

IEBO

hFE

IC=100uA, IE=0

IC=7mA, IB=0

IE=100uA, IC=0

VCB=250V, IE=0

VEB=6V, IC=0

1.0

500

2.5

IC=20mA,VCE=10V

VCE(Sat) IC=20mA,IB=2mA

VCE=10V, IC=20mA

Ccb

VCB=20V, IE=0, f=1MHz

3.0

Continental Device India Limited

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CIL928A	CDIL	获取价格	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
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