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CIL859

更新时间: 2024-02-09 02:20:01
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 938K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-237

CIL859 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:TO-237包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-237AAJESD-30 代码:O-PBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

CIL859 数据手册

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