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CEU630N

更新时间： 2025-08-23 12:20:07

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华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	398K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEU630N 数据手册

CED630N/CEU630N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

200V, 7.5A, R_DS(ON)= 0.36Ω @V_GS= 10V.

Super high dense cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handing capability.

Lead free product is acquired.

TO-251 & TO-252 package.

CEU SERIES

TO-252(D-PAK)

CED SERIES

TO-251(I-PAK)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Limit

Units

Drain-Source Voltage

200

Gate-Source Voltage

±20

7.5

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^a

I_DM

Maximum Power Dissipation @ T_C= 25 C

- Derate above 25 C

P_D

0.43

-55 to 150

W/ C

Operating and Store Temperature Range

T_J,T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

RθJC

Limit

2.3

Units

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

RθJA

Rev 2. 2009.March

Details are subject to change without notice .

http://www.cetsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CEU6336	CET	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEU6355	CET	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEU6362	CET	获取价格	Package : TO-252; BVDSS(V) : 60; @10V : 45; @4.5V : 52; ID(A) : 20.7; @4.5V(typ) : 9.7; Pd
CEU63A3	CET	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEU6405	CET	获取价格	Package : TO-252; BVDSS(V) : -60; @10V : 48; @4.5V : 62; ID(A) : -20; @10V(typ) : 26; Pd(W
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CEU6659	CET	获取价格	Package : TO-252-4L; BVDSS(V) : -6060; @10V : 12572; @5V : 15090; ID(A) : -69; @4.5V(typ)