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CEB04N7G

更新时间： 2024-02-23 05:28:16

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华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	424K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEB04N7G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	43 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	3.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	20 pF	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	84 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	119 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns

CEB04N7G 数据手册

CEP04N7G/CEB04N7G

CEF04N7G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

Type

V_DSS

700V

R_DS(ON)

3.3Ω

I_D

@V_GS

10V

CEP04N7G

CEB04N7G

CEF04N7G

3.3Ω

4A ^d

10V

3.3Ω

10V

Super high dense cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handing capability.

Lead free product is acquired.

CEB SERIES

CEP SERIES

TO-263(DD-PAK)

TO-220

CEF SERIES

TO-220F

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 C unless otherwise noted

Limit

Parameter

Symbol

Units

TO-220/263

TO-220F

Drain-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

700

Gate-Source Voltage

±30

4 ^d

16 ^d

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^a

I_DM

Maximum Power Dissipation @ T_C= 25 C

- Derate above 25 C

P_D

0.67

0.28

W/ C

Operating and Store Temperature Range

T_J,T_stg

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

RθJC

Limit

Units

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

1.5

62.5

3.6

RθJA

Rev 3. 2009.July

Details are subject to change without notice .

http://www.cetsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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