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CEB02N6G

更新时间： 2024-01-22 19:22:44

品牌	Logo	应用领域
华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	394K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEB02N6G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

CEB02N6G 数据手册

CEP02N6G/CEB02N6G

CEF02N6G

10¹

V_DS=480V

I_D=1A

R_DS(ON)Limit

100µs

1ms

10⁰

10ms

10^-1

T_C=25 C

T_J=175 C

Single Pulse

10^-2

10⁰

10¹

10²

10³

Qg, Total Gate Charge (nC)

VDS, Drain-Source Voltage (V)

Figure 7. Gate Charge

Figure 8. Maximum Safe

Operating Area

V^DD

toff

d(off)

d(on)

OUT

V^IN

90%

10%

90%

OUT

VGS

10%

INVERTED

R^GEN

90%

50%

10%

PULSE WIDTH

Figure 10. Switching Waveforms

Figure 9. Switching Test Circuit

10⁰

D=0.5

0.2

0.1

10^-1

PDM

0.05

0.02

0.01

1. RθJC (t)=r (t) * RθJC

2. RθJC=See Datasheet

3. TJM-TC = P* RθJC (t)

4. Duty Cycle, D=t1/t2

Single Pulse

10^-2

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

Square Wave Pulse Duration (sec)

Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve

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