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CEB02N6G

更新时间： 2024-01-09 14:22:48

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华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	394K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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数据手册

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CEB02N6G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

CEB02N6G 数据手册

CEP02N6G/CEB02N6G

CEF02N6G

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

3.0

T_J=125C

V_GS=10,9,8,7V

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

_GS=6V

_GS=5V

25 C

-55 C

7.5

2.5

12.5

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

900

750

600

450

300

150

I_D=1A

V_GS=10V

iss

oss

rss

-100

-50

100

150

200

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

TJ, Junction Temperature( C)

Figure 3. Capacitance

Figure 4. On-Resistance Variation

with Temperature

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

V_DS=V_GS

I_D=250µA

_GS=0V

10¹

10⁰

10^-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

-50 -25

25 50 75 100 125 150

TJ, Junction Temperature( C)

VSD, Body Diode Forward Voltage (V)

Figure 5. Gate Threshold Variation

with Temperature

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

1 234

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