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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> CDSOT23-SLVU2.8
CDSOT23-SLVU2.8 PDF预览

CDSOT23-SLVU2.8

更新时间： 2024-12-01 12:48:11
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 瞬态抑制器瞬态抑制二极管电视光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 311K
描述
Surface Mount TVS Diode

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CDSOT23-SLVU2.8 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：1.65
Is Samacsys：N其他特性：LOW CAPACITANCE
最小击穿电压：3 V击穿电压标称值：2.8 V
最大钳位电压：21 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：2.8 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CDSOT23-SLVU2.8 数据手册

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Features  
Applications  
■ RoHS compliant*  
■ Low capacitance ~ 2.5 pF  
■ ESD protection  
■ Personal Digital Assistants (PDAs)  
■ Mobile phones & accessories  
■ Memory card protection  
■ SIM card port protection  
■ Portable electronics  
■ Surge protection  
CDSOT23-SLVU2.8 - Surface Mount TVS Diode  
General Information  
The CDSOT23-SLVU2.8 device provides ESD, EFT and Surge protection for high  
speed data ports meeting IEC 61000-4-2 (ESD), IEC 61000-4-4 (EFT) and IEC 61000-  
4-5 (Surge) requirements. The Transient Voltage Suppressor Array offers a Working  
Peak Reverse Voltage of 2.8 V and Minimum Breakdown Voltage of 3 V.  
1
2
The SOT23 packaged device will mount directly onto the industry standard SOT23  
footprint. Bourns® Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle with  
standard pick and place equipment and the flat configuration minimizes roll away.  
3
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Peak Pulse Power (t = 8/20 μs)  
Symbol  
Value  
600  
Unit  
W
A
1
P
p
PK  
Peak Pulse Current (t = 8/20 μs)  
I
30  
p
PPM  
Storage Temperature  
T
-55 to +150  
-55 to +150  
3.0  
ºC  
ºC  
V
STG  
OPR  
Operating Temperature  
T
Minimum Breakdown Voltage @ 1 mA  
Minimum Snap Back Voltage @ 50 mA  
Maximum Working Peak Voltage  
V
BR  
BR  
V
2.8  
V
V
2.8  
V
WM  
Maximum Leakage Current @ V  
WM  
I
1.0  
5.5  
μA  
V
D
(Pin 3 to Pin 1) or (Pin 2 to Pin 1)  
Maximum Clamping Voltage @ I = 2 A  
V
V
V
P
C
C
C
Maximum Clamping Voltage @ I = 5 A  
P
7.0  
8.5  
V
(Pin 2 to Pin 1)  
Maximum Clamping Voltage @ I = 30 A  
P
21.0  
V
Typical Junction Capacitance @ 0 V, 1 MHz  
(Pin 3 to Pin 1 & Pin 2)  
20  
C
C
pF  
D
D
(Pin 2 to Pin 1 with Pin 3 NC)  
2.5  
Maximum Junction Capacitance @ 0 V, 1 MHz  
Maximum Peak Reverse Voltage @ I = 10 μA  
3
40  
0.1  
2
pF  
V
V
RRM  
Maximum Reverse Leakage Current @ V  
I
μA  
V
WM  
DR  
Maximum Forward Voltage @ I = 1 A, 120 μS  
F
V
F
Note:  
1.See Peak Pulse Power vs. Pulse Time.  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan. 27, 2003 including annex and RoHS Recast 2011/65/EU June 8, 2011.  
Specifications are subject to change without notice.  
The device characteristics and parameters in this data sheet can and do vary in different applications and actual device performance may vary over time.  
Users should verify actual device performance in their specific applications.  
1234

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