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CDM4-600LRTR13

更新时间： 2024-11-25 08:33:47
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2页 1313K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3/2

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CDM4-600LRTR13 数据手册

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Prodduucctt BBrriieeff  
Discretes do Matter™  
CDM4-600LR CDM22011-600LRFP  
TO-220FP  
DPAK  
CDM7-600LR CDM7-700LR  
N-Channel UltraMOS™ Power MOSFETs  
Central Semiconductor’s CDM4-600LR (4A, 600V in DPAK), CDM7-600LR (7A, 600V in DPAK), CDM22011-600LRFP (11A, 600V  
in TO-220FP) and CDM7-700LR (7A, 700V in DPAK), are N-Channel MOSFETs designed for high voltage, fast switching applications  
such as Power Factor Correction (PFC), Solid State Lighting (SSL), and power inverters. These MOSFETs combine high voltage  
capability with ultra low r  
low threshold voltage, and low gate charge for optimal efficiency.  
DS(ON)  
,
Typical Electrical Characteristics  
Features:  
• High voltage capability  
CDM4-600LR  
CDM7-600LR  
Drain Source On Resistance  
Drain Source On Resistance  
• Low gate charge  
• Ultra low r  
DS(ON)  
Applications:  
• Power Factor Correction (PFC)  
• Solid State Lighting (SSL)  
• Alternative energy inverters  
Benefits:  
• Energy efficiency  
• High power density  
• Industry standard packages  
CDM22011-600LRFP  
CDM7-700LR  
Drain Source On Resistance  
Drain Source On Resistance  
Also available:  
800V Low r  
DS(ON)  
N-Channel MOSFETs  
CDM2206-800LR CDM22012-800LRFP  
(6A, 800V in TO-220) (12A, 800V in TO220FP)  
TO-220  
TO-220FP  
www.centralsemi.com/UltraMOS  
Maximum Ratings (T =25˚C)  
Electrical Characteristics: (T =25˚C)  
A
A
Type No.  
I
P
T
T
Θ
BV  
V
r
@ V  
GS  
(V)  
@ I  
Q
C
C
Case  
Type  
,
DS(ON)  
D
D
J
stg  
JA  
DSS  
GS(th)  
(V)  
D
gs  
iss  
rss  
(A)  
(W)  
(˚C)  
(˚C/W)  
(V)  
(ꢀ)  
(ꢀ)  
(A)  
(nC)  
(pF)  
(pF)  
MAX MAX  
MAX  
MAX  
MIN  
MIN  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
MAX  
4.0  
TYP  
0.65  
0.53  
0.30  
0.48  
MAX  
TYP  
TYP  
TYP  
CDM4-600LR  
4.0  
7.0  
11  
38  
60  
25  
36  
-55 to +150  
-55 to +150  
110  
110  
600  
600  
600  
700  
0.95  
0.58  
0.36  
0.60  
10  
10  
10  
10  
2.0  
3.5  
5.5  
3.5  
*2.04  
*2.62  
*4.45  
*2.5  
328  
440  
763  
561  
1.31  
1.94  
DPAK  
DPAK  
CDM7-600LR  
4.0  
CDM22011-600LRFP  
CDM7-700LR  
-55 to +150 120  
-55 to +150 62  
4.0  
2.76 TO-220FP  
2.45 DPAK  
7.0  
4.0  
* Note: Pulse Width < 300μs, Duty Cycle < 2%  
Services:  
Weblink/Samples:  
• Bonded inventory  
• Custom electrical screening  
• Custom electrical characteristic curves  
• SPICE models  
• Custom packaging  
• Package base options  
• Custom device development/  
Multi Discrete Modules (MDM™)  
For more information  
or to request  
samples visit:  
www.centralsemi.com/info/UltraMOS  
145 Adams Avenue  
Hauppauge  
New York  
11788  
USA  
www.centralsemi.com  
•
•
•
•
•
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CDM4-600LRTR13LEADFREE CENTRAL

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 		Power Field-Effect Transistor,
CDM4-650 CENTRAL

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 		4A,650V Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current
CDM5364AD RENESAS

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 		CDM5364AD
CDM5364AE RENESAS

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 		CDM5364AE
CDM5364E RENESAS

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CDM6116AC ETC

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