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CDLL914E3 PDF预览

CDLL914E3

更新时间： 2024-11-09 14:41:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

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CDLL914E3 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-LELF-R2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.74
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-213AAJESD-30 代码：O-LELF-R2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.075 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
Base Number Matches：1

CDLL914E3 数据手册

 浏览型号CDLL914E3的Datasheet PDF文件第2页 
1N914UR  
and  
• 1N914UR AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/116  
CDLL914  
• SWITCHING DIODE  
• HERMETICALLY SEALED  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +200°C  
Operating Current: 75 mA @ T = + 25°C  
A
Derating Factor: 0.5 mA/°C Above T = + 25°C  
A
Surge Current A: 1A, sine wave, P = 8.3ms  
w
Surge Current B: 0.704A, square wave, P = 8.3ms  
w
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN MAX MIN MAX  
D
F
1.60  
0.41  
3.30  
1.70 0.063 0.067  
0.55 0.016 0.022  
3.70 .130 .146  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
G
V
V
t
rr  
f 1  
= 10  
f 2  
= 50  
G1  
S
2.54 REF.  
0.03 MIN.  
.100 REF.  
.001 MIN.  
V
V
I
I
I
@ F  
BR  
RWM  
0
@
F
mA  
mA  
(Note 1)  
Volts (min)  
100  
Volts (pk)  
75  
mA  
75  
V dc  
0.8  
V dc  
1.2  
n sec  
5
FIGURE 1  
DESIGN DATA  
I
I
I
I
R1  
R2  
R3  
@ 20 V  
R4  
@ 75 V  
CAPACITANCE CAPACITANCE  
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed  
@ 20 V dc  
@ 75 V dc  
@ 0 V  
@ 1.5 V  
glass case. (MELF, SOD-80; LL34)  
T
= 150°C  
µA  
T
= 150°C  
µA  
A
A
nA  
25  
µA  
0.5  
pF  
pF  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
35  
75  
4.0  
2.8  
THERMAL RESISTANCE (R  
100 °C/W maximum AT L = 0  
):  
OJEC  
NOTE 1  
I = I = 10 mA, R = 100 ohms.  
F R L  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 70  
JX  
O
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (781) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
97  
12

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