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CD4070BMJ-MIL

更新时间： 2024-02-25 05:40:37
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 栅
页数 文件大小 规格书
6页 124K
描述
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC

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CD4070BMJ-MIL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.32系列：4000/14000/40000
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e4
长度：5 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：XOR GATE最大I（ol）：0.0068 A
湿度敏感等级：1功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5/15 V
最大电源电流（ICC）：0.03 mAProp。Delay @ Nom-Sup：280 ns
传播延迟（tpd）：280 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.2 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：18 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4.4 mmBase Number Matches：1

CD4070BMJ-MIL 数据手册

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Absolute Maximum Ratings (Notes 1 and 2)  
If Military/Aerospace specified devices are required,  
please contact the National Semiconductor Sales  
Office/Distributors for availability and specifications.  
Recommended Operating  
Conditions (Note 2)  
DC Supply Voltage (V  
)
DD  
3V to 15 V  
DC  
Input Voltage (V  
)
IN  
0 to V V  
DD DC  
b
a
0.5 to 18 V  
DC Supply Voltage (V  
)
DD  
DC  
Operating Temperature Range (T )  
A
b
a
0.5 V  
Input Voltage (V  
IN  
)
0.5 to V  
DD  
DC  
b
b
a
40 C to 85 C  
CD4070BC/CD4077BC  
CD4070BM/CD4077BM  
§
55 C to 125 C  
§
§
b
a
65 C to 150 C  
Storage Temperature Range (T )  
S
§
§
a
§
Power Dissipation (P )  
D
Dual-In-Line  
Small Outline  
700 mW  
500 mW  
Lead Temperature (T )  
L
(Soldering, 10 seconds)  
260 C  
§
DC Electrical Characteristics CD4070BM/CD4077BM (Note 2)  
b
a
a
55 C  
§
25 C  
§
125 C  
§
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Units  
Min  
Max  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Max  
e
DD  
I
Quiescent Device  
Current  
V
V
V
V
V
V
5V,  
0.25  
0.5  
0.25  
7.5  
15  
30  
mA  
mA  
mA  
DD  
e
V
or V  
IN  
DD  
SS  
SS  
SS  
e
10V,  
0.5  
1.0  
DD  
e
V
or V  
IN  
DD  
e
15V,  
1.0  
DD  
e
V
or V  
IN  
DD  
k
V
V
V
V
Low Level  
I
1 mA  
OL  
OH  
IL  
l
O
l
e
e
e
Output Voltage  
V
5V  
0.05  
0.05  
0.05  
0
0
0
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
V
V
V
DD  
DD  
DD  
V
V
10V  
15V  
k
1 mA  
High Level  
I
l
O
l
e
e
e
Output Voltage  
V
5V  
4.95  
9.95  
4.95  
9.95  
5
4.95  
9.95  
V
V
V
DD  
DD  
DD  
V
V
10V  
15V  
10  
15  
14.95  
14.95  
14.95  
k
1 mA  
Low Level  
I
l
O
l
e
e
e
e
4.5V or 0.5V  
e
9V or 1.0V  
Input Voltage  
V
5V, V  
1.5  
3.0  
4.0  
1.5  
3.0  
4.0  
1.5  
3.0  
4.0  
V
V
V
DD  
DD  
DD  
O
V
V
10V, V  
15V, V  
O
e
13.5V or 1.5V  
O
k
1 mA  
High Level  
I
IH  
l
O
l
e
e
e
e
0.5V or 4.5V  
e
1.0V or 9.0V  
Input Voltage  
V
5V, V  
3.5  
7.0  
3.5  
7.0  
3.5  
7.0  
V
V
V
DD  
DD  
DD  
O
V
V
10V, V  
15V, V  
O
O
e
1.5V or 13.5V  
11.0  
11.0  
11.0  
e
e
e
e
0.4V  
I
I
I
Low Level Output  
Current (Note 3)  
V
V
V
5V, V  
O
0.64  
1.6  
0.51  
1.3  
0.88  
2.25  
8.8  
0.36  
0.9  
mA  
mA  
mA  
OL  
DD  
DD  
DD  
e
e
10V, V  
15V, V  
0.5V  
1.5V  
O
O
4.2  
3.4  
2.4  
e
e
e
e
5V, V  
O
b
b
b
b
b
0.36  
High Level Output  
Current (Note 3)  
V
DD  
V
DD  
V
DD  
4.6V  
0.64  
0.51  
0.88  
2.25  
mA  
mA  
mA  
OH  
IN  
e
e
b
b
b
b
b
b
10V, V  
15V, V  
9.5V  
1.6  
4.2  
1.3  
3.4  
0.9  
2.4  
O
O
b
13.5V  
8.8  
b
5
e
e
e
e
b
b
b
b
Input Current  
V
V
15V, V  
15V, V  
0V  
0.1  
10  
0.1  
1.0  
mA  
mA  
DD  
IN  
15V  
0.1  
10b  
5
0.1  
1.0  
DD  
IN  
Note 1: ‘‘Absolute Maximum Ratings’’ are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed. They are not meant to imply that the devices  
should be operated at these limits. The table of ‘‘Recommended Operating Conditions’’ and ‘‘Electrical Characteristics’’ provides conditions for actual device  
operation.  
e
Note 2: V  
0V unless otherwise specified.  
SS  
Note 3: I and I are tested one output at a time.  
OL OH  
2
123456

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