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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CD214A-F1200
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CD214A-F1200

更新时间： 2024-11-14 04:52:15
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 329K
描述
CD214A-F150~F1600 Fast Response Rectifiers

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CD214A-F1200 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：DO-214AC包装说明：PLASTIC, SMA, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.36配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CD214A-F1200 数据手册

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Features  
■ Lead free device (RoHS compliant*)  
■ Glass passivated chip  
■ Low reverse leakage current  
■ Low forward voltage drop  
■ High current capability  
CD214A-F150~F1600 Fast Response Rectifiers  
General Information  
The markets of portable communications, computing and video equipment are challenging the semiconductor industry to develop  
increasingly smaller electronic components. Bourns offers Glass Passivated Rectifiers for rectification applications, in compact chip  
DO-214AC (SMA) size format, which offer PCB real estate savings and are considerably smaller than most competitive parts. The Glass  
Passivated Rectifier Diodes offer a forward current of 1.0 A with a choice of repetitive peak reverse voltage of 50 V up to 600 V.  
Bourns® Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle on standard pick and place equipment and their flat configuration  
minimizes roll away.  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
CD214A-  
Parameter  
Symbol  
Unit  
F150  
F1100  
F1150  
F1200  
F1400  
F1600  
Maximum Repetitive  
Peak Reverse Voltage  
V
V
50  
100  
150  
200  
400  
600  
V
RRM  
Maximum RMS Voltage  
35  
50  
70  
105  
150  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
V
V
RMS  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
100  
DC  
Maximum Average Forward  
Rectified Current1  
I
1.0  
5.0  
A
(AV)  
DC Reverse Current @ Rated DC  
I
µA  
R
R
Blocking Voltage (@T = 25 °C)  
J
DC Reverse Current @ Rated DC  
I
50.0  
10  
µA  
pF  
Blocking Voltage (@T = 125 °C)  
J
Typical Junction Capacitance2  
C
J
Maximum Instantaneous  
Forward Voltage @ 1 A  
Typical Thermal Resistance3  
V
0.95  
1.25  
1.7  
25  
V
F
R
θJA  
34  
35  
°C/W  
Peak forward surge current 8.3 ms  
single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
I
30  
A
FSM  
Maximum Reverse Recovery Time4  
T
rr  
ns  
Notes:  
1 See Forward Derating Curve.  
2 Measured at 1 MHz and an applied reverse voltage of 4.0 V.  
3 Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead P.C.B. mounted on 0.2 x 0.2 ˝ (5.0 x 5.0 mm) copper pad areas.  
4 Reverse recovery test condition: IF 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.  
Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
CD214A-F150~F1600  
Unit  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex.  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
1234

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