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CD2010-B140 PDF预览

CD2010-B140

更新时间： 2024-12-01 03:25:03
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 整流二极管光电二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
4页 433K
描述
CD2010-B140 - Surface Mount Schottky Rectifier Diode

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CD2010-B140 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-R2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-R2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CD2010-B140 数据手册

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Features  
Applications  
■ Lead free as standard  
■ RoHS compliant*  
■ Low profile  
■ High frequency switching power supplies  
■ Inverters  
6
■ Free wheeling  
■ Low power loss, high efficiency  
■ UL 94V-0 classification  
■ Polarity protection  
CD2010-B140 – Surface Mount Schottky Rectifier Diode  
General Information  
The markets of portable communications, computing and video equipment are  
challenging the semiconductor industry to develop increasingly smaller electronic  
components. Bourns offers Schottky Rectifier Diodes for rectification applications, in  
compact chip package 2010 size format, which offers PCB real estate savings and  
are considerably smaller than most competitive parts. The Schottky Rectifier Diodes  
offer a forward current of 1 A with a repetitive peak reverse voltage of 40 V.  
Tin Plated  
Connectors  
Bourns® Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle on standard  
pick and place equipment and their flat configuration minimizes roll away.  
FRP Substrate  
and Epoxy  
Underfill  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
VDC  
Min.  
Nom.  
Max.  
40  
Unit  
V
DC Blocking Voltage  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Forward Rectified Current1  
Instantaneous Forward Voltage @ IF = 1.0 A  
Reverse Leakage Current @ VRRM  
VRRM  
I(AV)  
40  
V
1.0  
A
VF  
0.45  
0.55  
0.1  
V
IR  
mA  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
70  
A
Notes:  
1 See Forward Derating Curve.  
Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
TJ  
Min.  
-40  
Nom.  
+25  
Max.  
+125  
+125  
Unit  
°C  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-40  
+25  
°C  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
1234

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与CD2010-B140相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CD2010-B160 BOURNS

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 		CD2010-B160 - Surface Mount Schottky Rectifier Diode
CD2012C10NJT SAMWHA

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 		General Purpose Inductor, 0.01uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805
CD2012C10NKB SAMWHA

获取价格

 		General Purpose Inductor, 0.01uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805
CD2012C10NKT SAMWHA

获取价格

 		General Purpose Inductor, 0.01uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805
CD2012C12NJT SAMWHA

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 		General Purpose Inductor, 0.012uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805
CD2012C15NJE SAMWHA

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 		General Purpose Inductor, 0.015uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805
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 		General Purpose Inductor, 0.018uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805
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 		General Purpose Inductor, 0.018uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805
CD2012C18NJT SAMWHA

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 		General Purpose Inductor, 0.018uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805
CD2012C18NKB SAMWHA

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 		General Purpose Inductor, 0.018uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, CHIP, 0805

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