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CD2010-B160

更新时间： 2024-12-01 03:25:03
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 372K
描述
CD2010-B160 - Surface Mount Schottky Rectifier Diode

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CD2010-B160 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：5.74其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-N2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CD2010-B160 数据手册

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Features  
■ Lead free device (RoHS compliant*)  
■ Low profile  
Applications  
■ High frequency switching power supplies  
■ Inverters  
6
■ Low power loss, high efficiency  
■ UL 94V-0 classification  
■ Free wheeling  
■ Polarity protection  
CD2010-B160 – Surface Mount Schottky Rectifier Diode  
General Information  
The markets of portable communications, computing and video equipment are  
challenging the semiconductor industry to develop increasingly smaller electronic  
components. Bourns offers Schottky Rectifier Diodes for rectification applications, in  
compact chip package 2010 size format, which offer PCB real estate savings and are  
considerably smaller than most competitive parts. The Schottky Rectifier Diodes offer  
a forward current of 1 A with a repetitive peak reverse voltage of 60 V.  
Tin Plated  
Connectors  
Bourns® Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle on standard  
pick and place equipment and their flat configuration minimizes roll away.  
FRP Substrate  
and Epoxy  
Underfill  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
VDC  
Min.  
Nom.  
Max.  
60  
Unit  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
A
V
RMS Voltage  
VRMS  
VRRM  
I(AV)  
42  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Forward Rectified Current1  
Instantaneous Forward Voltage @ IF = 1.0 A  
60  
1.0  
0.58  
VF  
0.52  
Reverse Leakage Current @ rated V  
DC  
IR  
IR  
0.5  
10  
mA  
mA  
(@T = 25 °C)  
J
Reverse Leakage Current @ rated V  
DC  
(@T = 100 °C)  
J
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
50  
A
Notes:  
1 See Forward Derating Curve.  
Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Min.  
Nom.  
Max.  
Unit  
R
R
75  
17  
θJA  
θJL  
Thermal Resistance  
°C/W  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
+125  
+150  
°C  
°C  
TSTG  
-50  
+25  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex.  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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