CD0402-T15C

更新时间： 2024-09-29 03:25:03

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伯恩斯 - BOURNS		二极管电视
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4页	326K
描述
CD0402-TxxC - TVS Diode Array Series

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CD0402-T15C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PBGA-B4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
最小击穿电压：	16.7 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值反向功率耗散：	250 W	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	15 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

CD0402-T15C 数据手册

Features

Applications

■ Lead free as standard

■ RoHS compliant*

■ Protects 1 line

■ Cell phones

■ PDAs and notebooks

■ Digital cameras

■ MP3 players and GPS

■ Bidirectional configuration

■ ESD protection

CD0402-TxxC – TVS Diode Array Series

General Information

The markets of portable communications, computing and video equipment are

challenging the semiconductor industry to develop increasingly smaller electronic

components.

Bourns offers Transient Voltage Suppressor Array diodes for surge and ESD

protection applications, in 0402 chip package size format. The Transient Voltage

Supressor Array series offers a choice of voltage types ranging from 3 V to 36 V in a

bidirectional configuration. Bourns^®Chip Diodes conform to JEDEC standards, are

easy to handle on standard pick and place equipment and their flat configuration

minimizes roll away.

The Bourns^®device will meet IEC 61000-4-2 (ESD), IEC 61000-4-4 (EFT) and IEC

61000-4-5 (Surge) requirements.

Electrical & Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)

Parameter

Symbol

P_PP

Value

250

Unit

Peak Pulse Power (t_p= 8/20 µs) ¹

Operating Temperature

Storage Temperature

T_J

-55 ˚C to 150 ˚C

˚C

T_STG

˚C

CD0402-

Parameter

Symbol

T3.3C

T05C

T08C

T12C

T15C

T24C

T36C

Unit

Min. Breakdown Voltage @ 1 mA

Working Peak Voltage

VBR

VWM

4.0

3.3

7.0

6.0

5.0

8.5

8.0

13.3

12.0

19.0

16.7

15.0

26.7

24.0

40.0

36.0

Maximum Clamping Voltage @ I

11.0

13.4

Maximum Clamping Voltage

12.5 V 14.7 V 19.2 V 29.7 V 35.7 V

55 V

@ 5 A @ 3 A

84 V

V^F

@ 8/20 µs V @ I

@ 20 A @ 17 A @ 13 A @ 9 A

@ 7 A

Maximum Leakage Current @ V

75³

10⁴

10⁵

µA

Typical Capacitance @ 0 V, 1 MHz

150

100

Notes:

1. See Peak Pulse Power vs. Pulse Time.

2. See Pulse Wave Form.

3. Max. Leakage Current <500 µA @ 2.8 V.

4. Max. Leakage Current <500 nA @ 3.3 V.

5. Max. Leakage Current <200 nA @ 5 V.

All devices are bidirectional. Electrical Characteristics apply in both directions.

*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex

Specifications are subject to change without notice.

Customers should verify actual device performance in their specific applications.

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