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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> CBR1F-D040STIN/LEAD
CBR1F-D040STIN/LEAD PDF预览

CBR1F-D040STIN/LEAD

更新时间： 2024-12-01 13:06:39
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CENTRAL 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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CBR1F-D040STIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
Is Samacsys：N最小击穿电压：400 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：400 V表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CBR1F-D040STIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CBR1F-D040STIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CBR1F-D020S SERIES  
Semiconductor Corp.  
1.0 AMP DUAL IN LINE  
FAST RECOVERY  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1F-D020S  
Series types are fast recovery, full wave bridge rectifiers  
mounted in a durable epoxy surface mount molded  
case, utilizing glass passivated chips. To order devices  
on tape and reel (1,000/13” reel) add TR13 suffix.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SMDIP CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise specified)  
A
CBR1F- CBR1F- CBR1F- CBR1F- CBR1F-  
SYMBOL D020S  
D040S  
D060S  
D080S  
D100S  
UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
RRM  
200  
200  
140  
400  
400  
280  
600  
600  
800  
800  
560  
1000  
1000  
700  
V
V
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
R(RMS)  
420  
1.0  
V
A
Average Forward Current (T =40°C)  
A
I
O
Peak Forward Surge Current  
I
50  
A
FSM  
I t  
²
²
Rating for Fusing (t<8.35ms)  
3.74  
A s  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
µA  
mA  
V
I
V =Rated V  
5.0  
0.5  
R
R
R
RRM  
RRM  
I
V =Rated V  
, T =125°C  
A
R
V
I =1.0A  
1.3  
F
F
t
t
t
(200V thru 400V)  
(600V)  
I =0.5A, I =1.0A, Recov. to 0.25A  
200  
300  
500  
ns  
rr  
F
R
I =0.5A, I =1.0A, Recov. to 0.25A  
ns  
rr  
rr  
F
R
(800V, 1000V)  
I =0.5A, I =1.0A, Recov. to 0.25A  
ns  
F
R
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
25  
pF  
J
R
R0 (14-January 2003)  
12

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与CBR1F-D040STIN/LEAD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CBR1F-D040STR13LEADFREE CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMDIP, 4 PIN
CBR1F-D060 CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DIP-4
CBR1F-D060LEADFREE CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DIP-4
CBR1F-D060S CENTRAL

获取价格

 		1.0 AMP DUAL IN LINE FAST RECOVERY SILICON BRIDGE RECTIFIER
CBR1F-D060SBK CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon,
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CBR1F-D060SLEADFREE CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, PLASTI
CBR1F-D060STR13 CENTRAL

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 		1 AMP DUAL IN lINE FAST RECOVERY SILICON BRICGE RECTIFIER DIP CASE
CBR1F-D080 CENTRAL

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 		1 AMP DUAL IN lINE FAST RECOVERY SILICON BRICGE RECTIFIER DIP CASE
CBR1F-D080LEADFREE CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DIP-4

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