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CBR1-L010M

更新时间: 2024-11-08 22:10:03
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CENTRAL 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFER

CBR1-L010M 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.24最小击穿电压:100 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSIP-T4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CBR1-L010M 数据手册

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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