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CAT28LV64H13I15T PDF预览

CAT28LV64H13I15T

更新时间： 2024-11-28 12:49:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
15页 144K
描述
64 kb CMOS Parallel EEPROM

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CAT28LV64H13I15T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.31最长访问时间：150 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G28
长度：11.8 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：32 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.008 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
宽度：8 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

CAT28LV64H13I15T 数据手册

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CAT28LV64  
64 kb CMOS Parallel  
EEPROM  
Description  
The CAT28LV64 is a low voltage, low power, CMOS Parallel  
EEPROM organized as 8K x 8−bits. It requires a simple interface for  
in−system programming. On−chip address and data latches,  
http://onsemi.com  
self−timed write cycle with auto−clear and V power up/down write  
CC  
protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA  
Polling and Toggle status bit signal the start and end of the self−timed  
write cycle. Additionally, the CAT28LV64 features hardware and  
software write protection.  
The CAT28LV64 is manufactured using ON Semiconductor’s  
advanced CMOS floating gate technology. It is designed to endure  
100,000 program/erase cycles and has a data retention of 100 years.  
The device is available in JEDEC approved 28−pin DIP, 28−pin TSOP,  
28−pin SOIC or 32−pin PLCC packages.  
PDIP−28  
P, L SUFFIX  
CASE 646AE  
SOIC−28  
J, K, W, X SUFFIX  
CASE 751BM  
Features  
• 3.0 V to 3.6 V Supply  
• Read Access Times:  
– 150/200/250 ns  
PLCC−32  
N, G SUFFIX  
CASE 776AK  
TSOP−28  
H13 SUFFIX  
CASE 318AE  
• Low Power CMOS Dissipation:  
– Active: 8 mA Max.  
– Standby: 100 mA Max.  
• Simple Write Operation:  
– On−chip Address and Data Latches  
– Self−timed Write Cycle with Auto−clear  
• Fast Write Cycle Time:  
– 5 ms Max.  
• Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges  
• CMOS and TTL Compatible I/O  
• Automatic Page Write Operation:  
– 1 to 32 bytes in 5 ms  
– Page Load Timer  
PIN FUNCTION  
Pin Name  
Function  
Address Inputs  
A −A  
0
12  
I/O −I/O  
Data Inputs/Outputs  
Chip Enable  
0
7
CE  
OE  
Output Enable  
Write Enable  
WE  
• End of Write Detection:  
V
3.0 V to 3.6 V Supply  
Ground  
CC  
– Toggle bit  
V
SS  
– DATA Polling  
• Hardware and Software Write Protection  
NC  
No Connect  
• 100,000 Program/Erase Cycles  
• 100 Year Data Retention  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 15 of this data sheet.  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
October, 2009 − Rev. 7  
CAT28LV64/D  
1234567...15

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