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CAT28F102NI-10T

更新时间： 2024-11-01 20:22:35
品牌 Logo 应用领域
CATALYST 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 107K
描述
Flash, 64KX16, 100ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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CAT28F102NI-10T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：LCC包装说明：QCCJ, LDCC44,.7SQ
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.91最长访问时间：100 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：S-PQCC-J44JESD-609代码：e0
长度：16.5862 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC44,.7SQ封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.57 mm最大待机电流：0.00001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：16.5862 mm
Base Number Matches：1

CAT28F102NI-10T 数据手册

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Main Menu  
CAT28F102  
Licensed Intel  
second source  
1 Megabit CMOS Flash Memory  
FEATURES  
■ 64K x 16 Word Organization  
■ Fast Read Access Time: 100/120 ns  
■ Stop Timer for Program/Erase  
■ Low Power CMOS Dissipation:  
–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)  
–Standby: 1 mA max (TTL levels)  
–Standby: 100 µA max (CMOS levels)  
■ On-Chip Address and Data Latches  
■ JEDEC Standard Pinouts:  
–40-pin DIP  
■ High Speed Programming:  
–10 µs per byte  
–44-pin PLCC  
–40-pin TSOP  
–1 Sec Typ Chip Program  
■ 100,000 Program/Erase Cycles  
■ 10 Year Data Retention  
■ Electronic Signature  
■ 0.5 Seconds Typical Chip-Erase  
■ 12.0V ± 5% Programming and Erase Voltage  
■ Commercial,Industrial and Automotive  
Temperature Ranges  
DESCRIPTION  
write cycle scheme. Address and Data are latched to  
free the I/O bus and address bus during the write  
operation.  
TheCAT28F102isahighspeed64Kx16-bitelectrically  
erasable and reprogrammable Flash memory ideally  
suited for applications requiring in-system or after-sale  
code updates. Electrical erasure of the full memory  
contents is achieved typically within 0.5 second.  
The CAT28F102 is manufactured using Catalyst’s  
advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retention of 10 years. The device is available in JEDEC  
approved 40-pin DIP, 44-pin PLCC, or 40-pin TSOP  
packages.  
It is pin and Read timing compatible with standard  
EPROMandE2PROMdevices.ProgrammingandErase  
areperformedthroughanoperationandverifyalgorithm.  
The instructions are input via the I/O bus, using a two  
I/O –I/O  
BLOCK DIAGRAM  
0
15  
I/O BUFFERS  
ERASE VOLTAGE  
SWITCH  
WE  
DATA  
LATCH  
SENSE  
AMP  
COMMAND  
REGISTER  
PROGRAM VOLTAGE  
SWITCH  
CE, OE LOGIC  
CE  
OE  
Y-GATING  
Y-DECODER  
1,048,576-BIT  
MEMORY  
ARRAY  
A –A  
15  
0
X-DECODER  
VOLTAGE VERIFY  
SWITCH  
Doc. No. 1014, Rev. A  
© 2001 by Catalyst Semiconductor, Inc.  
1
Characteristics subject to change without notice  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28F102NI-12 ETC

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 		Flash, 64KX16, 120ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
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 		Flash, 64KX16, 120ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
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