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CAT28C65BNI-12

更新时间： 2024-10-29 19:20:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
13页 78K
描述
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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CAT28C65BNI-12 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：PLASTIC, LCC-32针数：32
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.64
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e0长度：13.965 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER页面大小：32 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：3.55 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
宽度：11.425 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

CAT28C65BNI-12 数据手册

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CAT28C65B  
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM  
FEATURES  
■ Fast read access times:  
■ Commercial, industrial and automotive  
– 90/120/150ns  
temperature ranges  
■ Low power CMOS dissipation:  
– Active: 25 mA max.  
■ Automatic page write operation:  
– 1 to 32 bytes in 5ms  
– Standby: 100 µA max.  
– Page load timer  
■ Simple write operation:  
■ End of write detection:  
– Toggle bit  
– On-chip address and data latches  
– Self-timed write cycle with auto-clear  
– DATA polling  
– RDY/BUSY  
■ Fast write cycle time:  
– 5ms max  
■ 100,000 program/erase cycles  
■ 100 year data retention  
■ CMOS and TTL compatible I/O  
■ Hardware and software write protection  
DESCRIPTION  
The CAT28C65B is a fast, low power, 5V-only CMOS  
parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a  
simple interface for in-system programming. On-chip  
address and data latches, self-timed write cycle with  
auto-clear and VCC power up/down write protection  
eliminate additional timing and protection hardware.  
DATA Polling, a RDY/BUSY pin and Toggle status bits  
signal the start and end of the self-timed write cycle.  
Additionally, the CAT28C65B features hardware and  
software write protection.  
The CAT28C65B is manufactured using Catalyst’s  
advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retentionof100years.ThedeviceisavailableinJEDEC-  
approved 28-pin DIP, 28-pin TSOP, 28-pin SOIC or 32-  
pin PLCC packages.  
BLOCK DIAGRAM  
8,192 x 8  
EEPROM  
ARRAY  
ROW  
DECODER  
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
5
12  
INADVERTENT  
WRITE  
PROTECTION  
HIGH VOLTAGE  
GENERATOR  
32 BYTE PAGE  
REGISTER  
V
CC  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
LOGIC  
I/O BUFFERS  
DATA POLLING,  
TOGGLE BIT &  
TIMER  
RDY/BUSY LOGIC  
I/O –I/O  
0
7
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
COLUMN  
DECODER  
0
4
RDY/BUSY  
© 2009 SCILLC. All rights reserved.  
Characteristics subject to change without notice  
Doc. No. MD-1009, Rev. H  
1
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28C65BNI-12T CATALYST

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 		64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C65BNI-12T ONSEMI

获取价格

 		8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C65BNI-12TE13 CATALYST

获取价格

 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C65BNI-15 CATALYST

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 		EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C65BNI-15 ONSEMI

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 		8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C65BNI-15T CATALYST

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 		8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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 		8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C65BNI-15TE7 CATALYST

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