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CAT28C513GI-15T

更新时间： 2024-10-28 20:08:59

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CATALYST		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	415K
描述
EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32

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CAT28C513GI-15T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.97 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

CAT28C513GI-15T 数据手册

CAT28C512/513

512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

FEATURES

I Fast Read Access Times: 120/150 ns

I Automatic Page Write Operation:

–1 to 128 Bytes in 5ms

I Low Power CMOS Dissipation:

–Active: 50 mA Max.

–Page Load Timer

–Standby: 200 µA Max.

I Simple Write Operation:

I End of Write Detection:

–Toggle Bit

–DATA Polling

–On-Chip Address and Data Latches

–Self-Timed Write Cycle with Auto-Clear

I Hardware and Software Write Protection

I 100,000 Program/Erase Cycles

I 100 Year Data Retention

I Fast Write Cycle Time:

–5ms Max

I CMOS and TTL Compatible I/O

I Commercial, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

DESCRIPTION

The CAT28C512/513 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 100 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin DIP, PLCC and TSOP packages.

TheCAT28C512/513isafast,lowpower,5V-onlyCMOS

parallel EEPROM organized as 64K x 8-bits. It requires

a simple interface for in-system programming. On-chip

address and data latches, self-timed write cycle with

auto-clear and V_CCpower up/down write protection

eliminate additional timing and protection hardware.

DATA Polling and Toggle status bits signal the start and

end of the self-timed write cycle. Additionally, the

CAT28C512/513 features hardware and software write

protection.

BLOCK DIAGRAM

65,536 x 8

EEPROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

128 BYTE PAGE

CONTROL

TIMER

I/O BUFFERS

DATA POLLING

AND

TOGGLE BIT

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. 1007, Rev. F

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CAT28C513HNA-15	CATALYST	获取价格	EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32
CAT28C513HNA-15T	CATALYST	获取价格	64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C513HNI-12T	CATALYST	获取价格	EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C513HNI-12T	ONSEMI	获取价格	64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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