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CAT28C256NI-25TE13

更新时间： 2024-11-19 19:20:59

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安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	138K
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32KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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CAT28C256NI-25TE13 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.1
最长访问时间：	250 ns	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

CAT28C256NI-25TE13 数据手册

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CAT28C256

256 kb Parallel EEPROM

Description

The CAT28C256 is a fast, low power, 5 V−only CMOS Parallel

EEPROM organized as 32K x 8−bits. It requires a simple interface for

in−system programming. On−chip address and data latches,

self−timed write cycle with auto−clear and V power up/down write

http://onsemi.com

protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA

Polling and Toggle status bits signal the start and end of the self−timed

write cycle. Additionally, the CAT28C256 features hardware and

software write protection.

The CAT28C256 is manufactured using ON Semiconductor’s

advanced CMOS floating gate technology. It is designed to endure

100,000 program/erase cycles and has a data retention of 100 years.

The device is available in JEDEC approved 28−pin DIP, 28−pin TSOP

or 32−pin PLCC packages.

TSOP−28

T13, H13 SUFFIX

CASE 318AE

Features

• Fast Read Access Times: 120/150 ns

• Low Power CMOS Dissipation:

– Active: 25 mA Max.

– Standby: 150 mA Max.

PDIP−28

P, L SUFFIX

CASE 646AE

PLCC−32

N, G SUFFIX

CASE 776AK

• Simple Write Operation:

– On−chip Address and Data Latches

– Self−timed Write Cycle with Auto−clear

• Fast Write Cycle Time:

PIN FUNCTION

− 5 ms Max.

Pin Name

Function

Address Inputs

• CMOS and TTL Compatible I/O

• Hardware and Software Write Protection

• Automatic Page Write Operation:

− 1 to 64 Bytes in 5 ms

− Page Load Timer

A −A

I/O −I/O

Data Inputs/Outputs

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

5 V Supply

• End of Write Detection:

− Toggle Bit

− DATA Polling

Ground

• 100,000 Program/Erase Cycles

• 100 Year Data Retention

• Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges

No Connect

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 14 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009

Publication Order Number:

December, 2009 − Rev. 6

CAT28C256/D

12 3 4 5 6 7...14

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与CAT28C256NI-25TE13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28C256NI-25TE7	CATALYST	获取价格	EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256NI-30	ETC	获取价格	x8 EEPROM
CAT28C256NIA-12T	ONSEMI	获取价格	256 kb Parallel EEPROM
CAT28C256NIA-15T	ONSEMI	获取价格	256 kb Parallel EEPROM
CAT28C256P12	ONSEMI	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
CAT28C256P-12	ONSEMI	获取价格	IC 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM
CAT28C256P-12	ROCHESTER	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
CAT28C256P-12T	CATALYST	获取价格	256K-Bit Parallel EEPROM
CAT28C256P-12T	ONSEMI	获取价格	256 kb Parallel EEPROM
CAT28C256P-15	ONSEMI	获取价格	IC 32K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM

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