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CAT28C256H13I12T PDF预览

CAT28C256H13I12T

更新时间： 2024-10-27 13:23:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 143K
描述
32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP-28

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CAT28C256H13I12T 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 13.40 MM, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP-28
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.15Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G28长度：11.8 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP28,.53,22
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00015 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
切换位：YES宽度：8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

CAT28C256H13I12T 数据手册

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CAT28C256  
256 kb Parallel EEPROM  
Description  
The CAT28C256 is a fast, low power, 5 V−only CMOS Parallel  
EEPROM organized as 32K x 8−bits. It requires a simple interface for  
in−system programming. On−chip address and data latches,  
self−timed write cycle with auto−clear and V power up/down write  
http://onsemi.com  
CC  
protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA  
Polling and Toggle status bits signal the start and end of the self−timed  
write cycle. Additionally, the CAT28C256 features hardware and  
software write protection.  
The CAT28C256 is manufactured using ON Semiconductor’s  
advanced CMOS floating gate technology. It is designed to endure  
100,000 program/erase cycles and has a data retention of 100 years.  
The device is available in JEDEC approved 28−pin DIP, 28−pin TSOP  
or 32−pin PLCC packages.  
TSOP−28  
T13, H13 SUFFIX  
CASE 318AE  
Features  
• Fast Read Access Times: 120/150 ns  
• Low Power CMOS Dissipation:  
– Active: 25 mA Max.  
– Standby: 150 mA Max.  
PDIP−28  
P, L SUFFIX  
CASE 646AE  
PLCC−32  
N, G SUFFIX  
CASE 776AK  
• Simple Write Operation:  
– On−chip Address and Data Latches  
– Self−timed Write Cycle with Auto−clear  
• Fast Write Cycle Time:  
PIN FUNCTION  
− 5 ms Max.  
Pin Name  
Function  
Address Inputs  
• CMOS and TTL Compatible I/O  
• Hardware and Software Write Protection  
• Automatic Page Write Operation:  
− 1 to 64 Bytes in 5 ms  
− Page Load Timer  
A −A  
0
14  
I/O −I/O  
Data Inputs/Outputs  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
5 V Supply  
0
7
CE  
OE  
• End of Write Detection:  
WE  
− Toggle Bit  
V
CC  
− DATA Polling  
V
Ground  
SS  
• 100,000 Program/Erase Cycles  
• 100 Year Data Retention  
• Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges  
NC  
No Connect  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 14 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
December, 2009 − Rev. 6  
CAT28C256/D  
1234567...14

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