是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.04 | 最长访问时间: | 150 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 13.965 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
最大待机电流: | 0.00015 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
切换位: | YES | 宽度: | 11.425 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C256G-15TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256G-15TE13 | CATALYST |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256G-15TE7 | ONSEMI |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256GA12 | ONSEMI |
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256 kb Parallel EEPROM | |
CAT28C256GA-12 | ONSEMI |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256GA-12 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256GA-12T | ONSEMI |
获取价格 |
256 kb Parallel EEPROM | |
CAT28C256GA-12T | CATALYST |
获取价格 |
256K-Bit Parallel EEPROM | |
CAT28C256GA15 | ONSEMI |
获取价格 |
256 kb Parallel EEPROM | |
CAT28C256GA-15 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 |