是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP8,.3 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 5.3 mm |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.03 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 5.25 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT25C128XE-1.8-GT2 | ONSEMI |
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IC,SERIAL EEPROM,16KX8,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC | |
CAT25C128XE-1.8-GT2 | CATALYST |
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128K/256K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C128XE-1.8-GT3 | CATALYST |
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128K/256K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C128XE-1.8T2 | CATALYST |
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128K/256K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C128XE-1.8-T2 | ONSEMI |
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IC,SERIAL EEPROM,16KX8,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC | |
CAT25C128XE-1.8T3 | CATALYST |
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128K/256K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C128XE-1.8TE13 | CATALYST |
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EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD AND HALOGEN FREE, EIAJ, SOIC-8 | |
CAT25C128XE-GT2 | CATALYST |
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128K/256K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C128XE-GT3 | CATALYST |
获取价格 |
128K/256K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C128XET2 | CATALYST |
获取价格 |
128K/256K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM |