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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| C-IXFD76N07-12 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| C-IXFD8N80 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| C-IXFD90N20Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| C-IXGD10N100 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD10N100A | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD10N60 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD10N60A | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD12N100 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD12N100A | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD17N100 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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