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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 集电极-发射极最大电压： | 1000 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| C-IXGD10N60 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD10N60A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD12N100 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD12N100A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD17N100 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD17N100A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD200N60 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD200N60A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD20N60 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXGD20N60B | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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