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BZY93-C8V2

更新时间: 2024-10-15 19:40:39
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国巨 - YAGEO 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 145K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 700W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

BZY93-C8V2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
最大击穿电压:8.7 V最小击穿电压:7.7 V
击穿电压标称值:8.2 V外壳连接:CATHODE
最大钳位电压:10.2 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值反向功率耗散:700 W
元件数量:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:20 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:500 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

BZY93-C8V2 数据手册

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