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BZX85C39

更新时间: 2024-11-24 00:01:27
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威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

BZX85C39 数据手册

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BZX85C...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Sharp edge in reverse characteristics  
Low reverse current  
Low noise  
Very high stability  
Available with tighter tolerances  
Applications  
94 9369  
Voltage stabilization  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Test Conditions  
l=4mm, T =25 C  
Type  
Symbol  
Value  
1.3  
Unit  
W
P
V
L
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
T
stg  
175  
–65...+175  
C
C
j
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJA  
Value  
110  
Unit  
K/W  
l=4mm, T =constant  
L
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
Forward voltage  
I =200mA  
F
V
F
1
V
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
Document Number 85608  
Rev. 3, 01-Apr-99  
1 (5)  

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