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BZX85C39_T50R

更新时间： 2024-02-13 14:47:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 149K
描述
Zener Diode, 39V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, GLASS PACKAGE-2

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BZX85C39_T50R 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.18Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：45 ΩJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：39 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Bright Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
最大电压容差：5%工作测试电流：6 mA
Base Number Matches：1

BZX85C39_T50R 数据手册

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September 2013  
BZX85C3V3 - BZX85C56  
Zener Diodes  
Tolerance = 5%  
DO-41 Glass Case  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-  
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-  
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The  
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation @ TA = 25°C  
Value  
1.0  
Units  
W
Power Dissipation @ TL = 25°C at 4 mm distance from the glass  
package  
PD  
1.3  
Derate above 50°C  
Operating and Storage Temperature Range  
6.67  
mW/°C  
°C  
TJ, TSTG  
-65 to +200  
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
BZX85C3V3 - BZX85C56 Rev. 1.1.0  
www.fairchildsemi.com  
1
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