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BZX85C10

更新时间: 2024-02-27 08:27:56
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NJSEMI 局域网高压测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZX85C10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.66
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:10 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:2%
工作测试电流:25 mABase Number Matches:1

BZX85C10 数据手册

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