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BZX85C100

更新时间： 2024-05-23 22:20:49

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DO-41

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BZX85C100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.3 W
标称参考电压：	100 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	2.7 mA	Base Number Matches：	1

BZX85C100 数据手册

BZX85C-SERIES

ZENER DIODES

Zener Voltage:2.7-200V Peak Pulse Power:1.0W

FEATURE

DO-41

Low zener impedance

Low regulation factor

High temperature soldering guaranteed:

1.0 (25.4)

MIN.

260 C/10S/9.5mm lead length at 5 lbs tension

0.107(2.7)

0.080(2.0)

DIA.

0.205(5.2)

0.160(4.1)

MECHANICAL DATA

Cas e: JEDEC DO-41 molded plastic body

1.0 (25.4)

Terminals : Plated axial leads, solderable per MIL-STD 750,

MIN.

method 2026

0.034(0.86)

0.028(0.70)

DIA.

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Pos ition: Any

Dimensions in inches and (millimeters)

Weight: 0.012 ounce,0.33 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOLS

VALUE

1000

UNITS

Ptot

Power Dissipation at Tamb=25 C(Note 1)

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

STG

-65 to + 200

170

K/W

Thermal resistance junction ambient(Note 1

Forward voltage at IF=200mA

θJ A

1.2

Note 1: Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature

DN:T06K03A0

STAR SEA

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