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BZX85C

更新时间： 2024-11-23 06:45:23

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威世 - VISHAY		二极管
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Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZX85C 数据手册

BZX85C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Sharp edge in reverse characteristics

Low reverse current

Low noise

Very high stability

Available with tighter tolerances

Applications

94 9369

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=4mm, T =25 C

Type

Symbol

Value

1.3

Unit

Junction temperature

Storage temperature range

stg

175

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

110

Unit

K/W

l=4mm, T =constant

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

I =200mA

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85608

Rev. 3, 01-Apr-99

1 (5)

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与BZX85C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZX85C10	MDD	获取价格	Zener Voltage: 2.7- 2 0 0V Peak Pulse Power: 1.0W Low regulation factor
BZX85C10	SUNMATE	获取价格	1.3W axial zener diode DO-41 10V series
BZX85C10	FAIRCHILD	获取价格	Zeners
BZX85C10	SEMTECH	获取价格	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
BZX85C10	VISHAY	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZX85C10	LGE	获取价格	Silicon Zener Diodes
BZX85C10	KINGTRONICS	获取价格	BZX85C Silicon Planar Power Zener Diodes
BZX85C10	WINNERJOIN	获取价格	Zener diode
BZX85C10	NJSEMI	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODES
BZX85C10	ONSEMI	获取价格	Zener Diode; 5% Tolerance