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BZX84J-C75

更新时间: 2024-11-29 11:10:31
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安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
13页 983K
描述
Single Zener diodesProduction

BZX84J-C75 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.54配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.55 W参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
标称参考电压:75 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30最大电压容差:5%
工作测试电流:2 mA

BZX84J-C75 数据手册

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BZX84J series  
Single Zener diodes  
Rev. 2 — 1 August 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
General-purpose Zener diodes in a SOD323F (SC-90) very small and flat lead  
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features and benefits  
Non-repetitive peak reverse power  
dissipation: 40 W  
Wide working voltage range: nominal  
2.4 V to 75 V (E24 range)  
Total power dissipation: 550 mW  
AEC-Q101 qualified  
Two tolerance series: 2 % and 5 %  
Low differential resistance  
Small plastic package suitable for  
surface-mounted design  
1.3 Applications  
General regulation functions  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.1  
40  
Unit  
V
[1]  
[2]  
VF  
forward voltage  
IF = 100 mA  
-
-
-
-
PZSM  
non-repetitive peak reverse  
power dissipation  
W
[1] Pulse test: tp 300 s;   0.02.  
[2] tp = 100 s; square wave; Tj = 25 C prior to surge  
2. Pinning information  
Table 2.  
Pinning  
Pin  
1
Description  
cathode  
Simplified outline  
Symbol  
[1]  
1
2
2
anode  
2
1
006aaa152  
[1] The marking bar indicates the cathode.  

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